中科院石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展，溫度成功降低到750℃

中科院石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展，溫度成功降低到750℃

近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展。



信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)首次在較低溫度（750℃）條件下采用化學(xué)氣相沉積外延成功制備6英寸無(wú)褶皺高質(zhì)量石墨烯單晶晶圓。



上海微系統(tǒng)所研究團(tuán)隊(duì)采用藍(lán)寶石作為襯底成功制備出具有更強(qiáng)催化能力的銅鎳單晶薄膜，成功將外延生長(zhǎng)石墨烯單晶的生長(zhǎng)溫度從1000℃ 成功降低到750℃，其制備的6英寸石墨烯單晶薄膜無(wú)褶皺，無(wú)顆粒污染，電學(xué)性能可以與高溫條件下得到的石墨烯相媲美。







單晶石墨烯晶圓的批量化制備是石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域規(guī)?；瘧?yīng)用的前提，低溫外延制備晶圓級(jí)石墨烯單晶對(duì)于推動(dòng)石墨烯在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。

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